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삼성전자 세계 최초
3위
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삼성전자, 세계 최초 ‘3나노 반도체’ 출하
프라임경제 삼성전자(005930)가 3나노미터(㎚,1㎚는 10억분의 1 라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을
ｍ) 파운드리 공정 기반의 초도 양산식을 열고, 3나노 시대 개막을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.
알렸다. 업계 1위인 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 고지를 선점해
추격의 발판을 마련했다. 경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 “삼성전자는 이번 제품 양
산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다”며 “핀펫 트랜지스터가 기
삼성전자는 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발
반도체 기술인 게이트올어라운드(GAA)를 적용한 3나노 파운드리 에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과”라고 말했다.
제품 출하식을 개최했다고 밝혔다. 지난달 세계 최초로 3나노 1세
대 제품 양산을 시작한 데 이어 양산 제품을 처음 공개하는 것이다. 삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작
했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로
삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다.
해 나아가겠습니다’라는 자신감과 함께 3나노 GAA 공정 양산과
선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부 삼성전자는 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적
를 밝혔다. 용하고, 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대
적용을 위해 협력하고 있다.
정기태 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장은 기술 개발 한편, 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제
경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프 품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 예정이다.
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